在SiC-Graphene超结构中，我们通过角分辨光电子能谱研究其电子结构。实验发现了即使SiC衬底与石墨烯之间晶格常数相差较大，且拥有30°的转角，仍然有莫尔效应的存在。如图1（a）所示。我们在石墨烯的第一布里渊区中观察到了一系列复制的狄拉克型能带，分别用能带α，能带β，能带γ，能带δ，能带ϵ_1表示，我们可以看到复制的狄拉克型能带与石墨烯本征的能带具有相似的结构。受限于实验室氦灯分辨率及强度的影响，我们无法进一步分析复制带与本征能带之间的具体关系。图1（h）表示了复制狄拉克型能带α和 β与石墨烯本征能带κ之间具有不同的手性。

接着，我们尝试用理论解释了在如此大的转角与晶格差异下，为何SiC-Graphene中仍然存在莫尔效应。蓝色六角晶格代表石墨烯倒空间布里渊区，红色六角晶格代表SiC倒空间布里渊区，紫色，黄色与蓝色三角分别表示初始狄拉克型能带受到1阶，2阶，3阶莫尔效应，并最终产生复制狄拉克型能带。我们比较了实验得到的复制狄拉克型能带位置以及理论计算得到的位置，发现能很好的吻合，证明了高阶莫尔效应的存在。高阶莫尔效应的发现为设计莫尔超晶格材料探寻新奇物理现象提供了更多可能。