祝贺徐楠课题组万强、杨天宇在物理学期刊Physics Review B上发表题为"Inherited weak topological insulator signatures in the topological hourglass semimetal Nb3XTe6 (X = Si, Ge)"的文章。

我们利用基于实验室的自旋分辨角分辨光电子能谱，对范得瓦尔斯材料NbSixTe2中Si掺杂程度最低的NbX1/3Te2(X = Si, Ge)体系的电子结构和拓扑性质进行了细致的研究。与NbSi0.45Te2中的一维无质量狄拉克费米子相比，该体系恢复了三维平移对称性。实验发现了受非点式对称性保护的独特的拓扑态，该拓扑态具有一对导带和价带同时编码了弱拓扑绝缘体和和沙漏半金属的性质。如果不考虑自旋轨道耦合的话，体能带会彼此互相重叠，形成了节点环和节点链。而考虑自旋轨道耦合的话，节点线和节点链会以两种不同的方式被打开能隙。在非点式对称性的保护下，自旋轨道耦合使节点线转变为沙漏节点环。而节点链则完全打开能隙，并形成Z2指数为{0;110}的弱拓扑绝缘体相。自旋动量锁定的拓扑表面态，可做为弱拓扑绝缘体相特征的直接证据。不同于之前基于带反转形成的没有对称性保护的拓扑绝缘体，这种独特的拓扑态受非点式对称性的保护，在费米面附近有从单种材料的同一组价带和导带衍生而来沙漏半金属相，并显示弱拓扑绝缘体的一整套特征。

相关链接：PHYSICAL REVIEW B 103, 165107 (2021)