Physical Review B 以长文（Artical）的形式在线发表高等研究院徐楠教授的最新研究成果，论文题为“Inherited weak topological insulator signatures in the topological hourglass semimetal Nb₃XTe₆”

恢复体系的平移对称性后，我们首次关注到Si插层程度最低的Nb₃XTe₆(X=Si,Ge)材料。我们发现Nb₃XTe₆具有体带反转和由弱拓扑绝缘体相演化而来的自旋极化表面态。考虑到自选轨道耦合，由同一对价带和导带组成的多节点链打开能隙。

同时，弱拓扑绝缘体的特性与沙漏费米子同源出现。不同于之前基于带反转形成的没有对称性保护的拓扑绝缘体。这种独特的拓扑态具有一对导带和价带同时编码了弱拓扑绝缘体和沙漏半金属的性质，并受到非点式对称性的保护。